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IT之家 7 月 17 日讯息，据三星电子 2024 年异构集成路子图，该企业正积极研发一款名为 LP Wide I/O的新式移动内存。 值得精通的是，三星电子以往曾提到过一种称号与其周边的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚弗成阐明两者磋议。 LP WideI/O 内存将于 2025 年一季度终了时刻就绪，2025 下半年至 2026 年中终了量产就绪。 路子图泄露，LP WideI/O内存单封装位宽将达到现存 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。 算作对